数字逻辑标准－扫盲和作为备忘录吧
我们知道，0和1是数字世界的两个基本元素，在数字电路中它们由特定范围的高低电平来表示。数字电路发展的早期，绝大多数数字器件都采用TTL和CMOS数字逻辑标准。近几年，产生了许多针对不同应用的低压、高速的数字逻辑标准，例如LVTTL、LVCMOS、LVDS、HSTL、SSTL、LVPECL等。
实际应用******有二三十种数字逻辑信号标准，根据其物理连接特性不同，可以划分为单端逻辑信号、单端差分逻辑信号和差分逻辑信号三大类。在对它们详细介绍之前，我们首先了解一下数字逻辑信号的几个重要专业术语。
a. 门限电压（VTH ）
-- -顾名思义，VTH为逻辑状态高或低转换的门限电压，在逻辑器件中，当信号电压高于VTH 为逻辑高，反之则为逻辑低，通常VTH为电源电压的1/2。
--- b. 输出高电平（VOH）和输出低电平（VOL）
--- 确切地说VOH应该为逻辑器件输出高电平的下限，VOL为输出低电平的上限。通常在VOH和VOL之间有一个电压缓冲区，这样在实际电路中输出逻辑信号迭加噪声后，就不会导致对逻辑状态的错误判断。
--- c. 输入高电平（VIH）和输入低电平（VIL）
--- VIH为输入高电平的下限，VIL为输入低电平的上限。
在许多数字系统中，前一个逻辑器件的输出就是后一个逻辑器件的输入，所以必须满足VOH>VIH、VOL< VIL，否则就会出现逻辑状态判断错误。另外，它们之间的差值称为噪声容限，外部叠加的噪声应小于噪声容限，否则也会出现逻辑状态判断错误。
单端数字逻辑信号
---单端信号是两个逻辑器件互连最基本的方法，它只需要一条连线来实现逻辑信号传输。另外，它也可以实现单端发送、差分接收的连接方式，这时差分接收器的另外一个输入端提供参考接地电平，即图4中的VREF接地。-单端信号连接的数字逻辑标准主要有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、PCI等，它们的主要性能参数如表1所示。
---(1) 注意：信号的传输带宽是一个粗略的估算值，因为器件工艺、连线长度、PCB走线方式和应用环境都会对实际传输带宽造成影响。
单端差分逻辑信号
---单端差分信号指的是信号单端发送、差分接收的一种信号传输方式。差分接收器的两个输入端，一个接收信号，另一个提供参考电平VREF。VREF是用来设置接收器的门限电压，其大小通常为单端驱动器输出电压VDDO的1/2。相对单端信号，单端差分信号是通过降低传输信号的电平幅度，来加快晶体管的转换速度，从而提高传输带宽。
---图6为HSTL-I单端差分信号的实际参数和信号波形图，其中单端驱动器输出电压VDDO=1.5V；门限电压VTH = VREF=1/2 VDDO=0.75V；VIL= VREF - 0.1V 、VIH= VREF + 0.1V。
---除了HSTL-I单端差分逻辑标准外，另外一个常见的标准是美国Cypress的1.8V HSTL，也称eHSTL，其性能参数如表2所示。
差分逻辑信号
---如图7所示，差分信号是通过一对单端信号线进行传输，两条线上的信号相同，但相位相差为180°。
---从信号传输原理看，差分信号的电平幅度比单端差分信号更低；此外，如图8，差分信号接收端VDIFF=VOH-VOL，这样可以抵消实际传输过程中迭加在两个单端信号上的共模噪声，更好地保持了信号的完整性，降低了信号整体噪声， 从而实现更高的带宽。
---常见的差分逻辑信号标准有LVDS、SSTL、ECL、PECL等，它们的具体性能参数如表3所示。
应用
---可以说，任何一种新的数字逻辑信号标准的产生，都是实际应用需要驱动的结果，每一种标准都有各自的特点及应用环境。
---a. TTL、CMOS系列是应用最广泛的数字逻辑标准，被数字逻辑器件厂商普遍采用；
---b. 时钟驱动器件、SRAM、DDR SRAM 等存储器件基本都采用HSTL标准；
---d. SSTL系列是由IBM、Hitachi等公司发起的，主要用于PC内存模快上；
---e. PECL系列是Motorola 公司发明的，广泛应用于精度较高的时钟器件；
---f. LVDS广泛应用于中距离传输的一些高速串行或平行接口器件。
接口技术
---在数字系统的设计和调试中，会经常遇到不同数字逻辑标准的接口问题。只要深入理解各种逻辑标准的接口电平特性；遵循VOH>VIH 、 VOL< VIL，实际噪声小于容限噪声等原则；同时注意一些影响信号完整性的参数，例如驱动电流、匹配阻抗、转换速率等，许多问题都能迎刃而解。
---另外，也可以选用专用逻辑电平转换器件、接口转换器件、可编程逻辑器件来解决数字逻辑标准的接口问题，提高传输的稳定性。例如，IDT、TI公司都推出了多款逻辑电平转换和接口转换器件；Xilinx公司的 CoolRunnerII系列CPLD可以支持LVTTL、LVCOMS、SSTL2-I、HSTL-I等多种接口标准，Spartan-3系列FPGA 支持的标准多达23种。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V
输出 VOL： <0.8V ； VOH：>2.4V。
输入 VIL： <1.2V ； VIH： >2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS电平：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V
输出 VOL： <0.1*Vcc ； VOH：>0.9*Vcc。
输入 VIL： <0.3*Vcc ； VIH： >0.7*Vcc.
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱,不用的输入端必须连到高电平或低电平, 这是因为 CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.
另外，CMOS集成电路电源电压Vcc可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容。
TTL和CMOS区别：
1.电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话，ttl一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。
2。电流驱动能力不一样，ttl一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。
3。需要的电流输入大小也不一样，一般ttl需要2.5毫安左右，CMOS 几乎不需要电流输入。
4。TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
5。TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA
３.３Ｖ和５.０Ｖ电平信号的转换
在混合电压系统中，不同电源电压的逻辑器件互相接口时存在以下几个问题：
第一，加到输入和输出引脚上允许的最大电压限制问题。器件对加到输入或者输出脚上的电压通常是有限制的。这些引脚有二极管或者分离元件接到Ｖｃｃ。如果接入的电压过高，则电流将会通过二极管或者分离元件流向电源。例如在３．３Ｖ器件的输入端加上５Ｖ的信号，则５Ｖ电源会向３．３Ｖ电源充电。持续的电流将会损坏二极管和其它电路元件。
第二，两个电源间电流的互串问题。在等待或者掉电方式时，３．３Ｖ电源降落到０Ｖ，大电流将流通到地，这使得总线上的高电压被下拉到地，这些情况将引起数据丢失和元件损坏。必须注意的是：不管在３．３Ｖ的工作状态还是在０Ｖ的等待状态都不允许电流流向Ｖｃｃ。
第三，接口输入转换门限问题。５Ｖ器件和３．３Ｖ器件的接口有很多情况，同样ＴＴＬ和ＣＭＯＳ间的电平转换也存在着不同情况。驱动器必须满足接收器的输入转换电平，并且要有足够的容限以保证不损坏电路元件。
基于上述情况，５Ｖ器件和３．３Ｖ器件是不能直接接口的。有些半导体器件制造厂家就推出了具有５Ｖ输入容限的３．３Ｖ器件，这种器件输入端具有ＥＳＤ保护电路。实际上数字电路的所有输入端都有一个ＥＳＤ保护电路，传统的ＣＭＯＳ电路通过接地二极管对负向高电压限幅，正向高电压则由二极管钳位。这种电路的缺点是最大的输入电压被限制在３．３Ｖ＋０．５Ｖ（二极管压降）以内（否则电流将流向３．３Ｖ电源）。而大多数５Ｖ系统输出端的电压可达３．６Ｖ以上，因此采用了这种电路结构的３．３Ｖ器件是不能与５Ｖ器件输出端直接接口的。如果采用相当于快速齐纳二极管的ＭＯＳ场效应管代替上述钳位二极管，实现对高电压限幅，并且去掉接到Ｖｃｃ（３．３Ｖ）的二极管，那么最大输入电压不受Ｖｃｃ（３．３Ｖ）的限制。典型情况下，这种电路的击穿电压在７Ｖ～１０Ｖ之间。因此，这种改进后具有ＥＳＤ保护电路的３．３Ｖ系统的输入端可以承受５Ｖ的输入电压。为了防止在３．３Ｖ器件的输出端可能存在电流倒灌问题，还需要在输出端加保护电路，当加到输出端电压高于Ｖｃｃ（３．３Ｖ）时，保护电路的比较器会断开电流倒灌通路，这样在三态方式时就能与５Ｖ器件相连。
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分析各种逻辑电平信号的电特性，会发现有以下五种接口情况：
第一，相同供电电压的ＴＴＬ器件驱动ＣＭＯＳ器件时，ＴＴＬ器件的输出高电平可能达不到ＣＭＯＳ器件的输入高电平的最小值。３．３Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，３．３Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．８ＶＣＣ（３．３Ｖ×０．８＝２．６４Ｖ）；５．０Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，５．０Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．７ＶＣＣ（３．５Ｖ）。为了可靠地传输数据，可以将ＴＴＬ器件的输出端上拉。有些ＣＭＯＳ工艺制造的器件兼容 ＴＴＬ电平，这样就可以与相同供电电压的ＴＴＬ器件直接接口，不需要上拉。
第二，相同供电电压的ＣＭＯＳ器件驱动ＴＴＬ器件，电平匹配，数据能可靠地传输。
第三，不同供电电压的ＴＴＬ器件驱动ＣＭＯＳ器件时，ＴＴＬ器件的输出高电平也可能达不到ＣＭＯＳ器件的输入高电平的最小值。３．３Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，５．０Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．７ＶＣＣ（３．５Ｖ），电平不匹配；５．０Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，３．３Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．８ＶＣＣ（２．６４Ｖ），可以将５．０Ｖ ＴＴＬ器件的输出端上拉，达到电平匹配的目的。
第四，不同供电电压的ＣＭＯＳ器件驱动ＴＴＬ器件时，在输入端具有５Ｖ容限的情况下，电平匹配，数据能可靠地传输。
第五，不同供电电压的ＴＴＬ器件在输入端具有５Ｖ容限的情况下可以直接接口；不同供电电压的ＣＭＯＳ器件由于电平不匹配不能直接接口。
由以上分析可知，不同逻辑标准的电平信号一般是不能直接接口的。在只有少量信号需要电平转换的情况下，可以考虑上拉电阻或选择具有５Ｖ输入容限的器件，甚至可以考虑电阻分压降低输入电压的办法。对于大量信号需要电平转换的情况，为了可靠传输数据，可以采用双电压（一边是３．３Ｖ，另一边是５Ｖ）供电的双向驱动器来实现电平转换。如仙童半导体公司的７４ＬＶＸ４２４５、ＴＩ公司的ＳＮ７４ＡＬＶＣ１６４２４５、ＳＮ７４ＡＬＶＣ４２４５
等芯片，可以较好地解决３．３Ｖ与５Ｖ电平的转换问题。
ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、 PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。
下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。
RS232和RS485基本和大家比较熟了，只简单提一下：
RS232采用±12-15V供电，我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0，-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换，也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。
RS485是一种差分结构，相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。
实际应用******有二三十种数字逻辑信号标准，根据其物理连接特性不同，可以划分为单端逻辑信号、单端差分逻辑信号和差分逻辑信号三大类。在对它们详细介绍之前，我们首先了解一下数字逻辑信号的几个重要专业术语。
a. 门限电压（VTH ）
-- -顾名思义，VTH为逻辑状态高或低转换的门限电压，在逻辑器件中，当信号电压高于VTH 为逻辑高，反之则为逻辑低，通常VTH为电源电压的1/2。
--- b. 输出高电平（VOH）和输出低电平（VOL）
--- 确切地说VOH应该为逻辑器件输出高电平的下限，VOL为输出低电平的上限。通常在VOH和VOL之间有一个电压缓冲区，这样在实际电路中输出逻辑信号迭加噪声后，就不会导致对逻辑状态的错误判断。
--- c. 输入高电平（VIH）和输入低电平（VIL）
--- VIH为输入高电平的下限，VIL为输入低电平的上限。
在许多数字系统中，前一个逻辑器件的输出就是后一个逻辑器件的输入，所以必须满足VOH>VIH、VOL< VIL，否则就会出现逻辑状态判断错误。另外，它们之间的差值称为噪声容限，外部叠加的噪声应小于噪声容限，否则也会出现逻辑状态判断错误。
单端数字逻辑信号
---单端信号是两个逻辑器件互连最基本的方法，它只需要一条连线来实现逻辑信号传输。另外，它也可以实现单端发送、差分接收的连接方式，这时差分接收器的另外一个输入端提供参考接地电平，即图4中的VREF接地。-单端信号连接的数字逻辑标准主要有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、PCI等，它们的主要性能参数如表1所示。
---(1) 注意：信号的传输带宽是一个粗略的估算值，因为器件工艺、连线长度、PCB走线方式和应用环境都会对实际传输带宽造成影响。
单端差分逻辑信号
---单端差分信号指的是信号单端发送、差分接收的一种信号传输方式。差分接收器的两个输入端，一个接收信号，另一个提供参考电平VREF。VREF是用来设置接收器的门限电压，其大小通常为单端驱动器输出电压VDDO的1/2。相对单端信号，单端差分信号是通过降低传输信号的电平幅度，来加快晶体管的转换速度，从而提高传输带宽。
---图6为HSTL-I单端差分信号的实际参数和信号波形图，其中单端驱动器输出电压VDDO=1.5V；门限电压VTH = VREF=1/2 VDDO=0.75V；VIL= VREF - 0.1V 、VIH= VREF + 0.1V。
---除了HSTL-I单端差分逻辑标准外，另外一个常见的标准是美国Cypress的1.8V HSTL，也称eHSTL，其性能参数如表2所示。
差分逻辑信号
---如图7所示，差分信号是通过一对单端信号线进行传输，两条线上的信号相同，但相位相差为180°。
---从信号传输原理看，差分信号的电平幅度比单端差分信号更低；此外，如图8，差分信号接收端VDIFF=VOH-VOL，这样可以抵消实际传输过程中迭加在两个单端信号上的共模噪声，更好地保持了信号的完整性，降低了信号整体噪声， 从而实现更高的带宽。
---常见的差分逻辑信号标准有LVDS、SSTL、ECL、PECL等，它们的具体性能参数如表3所示。
应用
---可以说，任何一种新的数字逻辑信号标准的产生，都是实际应用需要驱动的结果，每一种标准都有各自的特点及应用环境。
---a. TTL、CMOS系列是应用最广泛的数字逻辑标准，被数字逻辑器件厂商普遍采用；
---b. 时钟驱动器件、SRAM、DDR SRAM 等存储器件基本都采用HSTL标准；
---d. SSTL系列是由IBM、Hitachi等公司发起的，主要用于PC内存模快上；
---e. PECL系列是Motorola 公司发明的，广泛应用于精度较高的时钟器件；
---f. LVDS广泛应用于中距离传输的一些高速串行或平行接口器件。
接口技术
---在数字系统的设计和调试中，会经常遇到不同数字逻辑标准的接口问题。只要深入理解各种逻辑标准的接口电平特性；遵循VOH>VIH 、 VOL< VIL，实际噪声小于容限噪声等原则；同时注意一些影响信号完整性的参数，例如驱动电流、匹配阻抗、转换速率等，许多问题都能迎刃而解。
---另外，也可以选用专用逻辑电平转换器件、接口转换器件、可编程逻辑器件来解决数字逻辑标准的接口问题，提高传输的稳定性。例如，IDT、TI公司都推出了多款逻辑电平转换和接口转换器件；Xilinx公司的 CoolRunnerII系列CPLD可以支持LVTTL、LVCOMS、SSTL2-I、HSTL-I等多种接口标准，Spartan-3系列FPGA 支持的标准多达23种。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V
输出 VOL： <0.8V ； VOH：>2.4V。
输入 VIL： <1.2V ； VIH： >2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS电平：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V
输出 VOL： <0.1*Vcc ； VOH：>0.9*Vcc。
输入 VIL： <0.3*Vcc ； VIH： >0.7*Vcc.
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱,不用的输入端必须连到高电平或低电平, 这是因为 CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.
另外，CMOS集成电路电源电压Vcc可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容。
TTL和CMOS区别：
1.电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话，ttl一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。
2。电流驱动能力不一样，ttl一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。
3。需要的电流输入大小也不一样，一般ttl需要2.5毫安左右，CMOS 几乎不需要电流输入。
4。TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
5。TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA
３.３Ｖ和５.０Ｖ电平信号的转换
在混合电压系统中，不同电源电压的逻辑器件互相接口时存在以下几个问题：
第一，加到输入和输出引脚上允许的最大电压限制问题。器件对加到输入或者输出脚上的电压通常是有限制的。这些引脚有二极管或者分离元件接到Ｖｃｃ。如果接入的电压过高，则电流将会通过二极管或者分离元件流向电源。例如在３．３Ｖ器件的输入端加上５Ｖ的信号，则５Ｖ电源会向３．３Ｖ电源充电。持续的电流将会损坏二极管和其它电路元件。
第二，两个电源间电流的互串问题。在等待或者掉电方式时，３．３Ｖ电源降落到０Ｖ，大电流将流通到地，这使得总线上的高电压被下拉到地，这些情况将引起数据丢失和元件损坏。必须注意的是：不管在３．３Ｖ的工作状态还是在０Ｖ的等待状态都不允许电流流向Ｖｃｃ。
第三，接口输入转换门限问题。５Ｖ器件和３．３Ｖ器件的接口有很多情况，同样ＴＴＬ和ＣＭＯＳ间的电平转换也存在着不同情况。驱动器必须满足接收器的输入转换电平，并且要有足够的容限以保证不损坏电路元件。
基于上述情况，５Ｖ器件和３．３Ｖ器件是不能直接接口的。有些半导体器件制造厂家就推出了具有５Ｖ输入容限的３．３Ｖ器件，这种器件输入端具有ＥＳＤ保护电路。实际上数字电路的所有输入端都有一个ＥＳＤ保护电路，传统的ＣＭＯＳ电路通过接地二极管对负向高电压限幅，正向高电压则由二极管钳位。这种电路的缺点是最大的输入电压被限制在３．３Ｖ＋０．５Ｖ（二极管压降）以内（否则电流将流向３．３Ｖ电源）。而大多数５Ｖ系统输出端的电压可达３．６Ｖ以上，因此采用了这种电路结构的３．３Ｖ器件是不能与５Ｖ器件输出端直接接口的。如果采用相当于快速齐纳二极管的ＭＯＳ场效应管代替上述钳位二极管，实现对高电压限幅，并且去掉接到Ｖｃｃ（３．３Ｖ）的二极管，那么最大输入电压不受Ｖｃｃ（３．３Ｖ）的限制。典型情况下，这种电路的击穿电压在７Ｖ～１０Ｖ之间。因此，这种改进后具有ＥＳＤ保护电路的３．３Ｖ系统的输入端可以承受５Ｖ的输入电压。为了防止在３．３Ｖ器件的输出端可能存在电流倒灌问题，还需要在输出端加保护电路，当加到输出端电压高于Ｖｃｃ（３．３Ｖ）时，保护电路的比较器会断开电流倒灌通路，这样在三态方式时就能与５Ｖ器件相连。
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分析各种逻辑电平信号的电特性，会发现有以下五种接口情况：
第一，相同供电电压的ＴＴＬ器件驱动ＣＭＯＳ器件时，ＴＴＬ器件的输出高电平可能达不到ＣＭＯＳ器件的输入高电平的最小值。３．３Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，３．３Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．８ＶＣＣ（３．３Ｖ×０．８＝２．６４Ｖ）；５．０Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，５．０Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．７ＶＣＣ（３．５Ｖ）。为了可靠地传输数据，可以将ＴＴＬ器件的输出端上拉。有些ＣＭＯＳ工艺制造的器件兼容 ＴＴＬ电平，这样就可以与相同供电电压的ＴＴＬ器件直接接口，不需要上拉。
第二，相同供电电压的ＣＭＯＳ器件驱动ＴＴＬ器件，电平匹配，数据能可靠地传输。
第三，不同供电电压的ＴＴＬ器件驱动ＣＭＯＳ器件时，ＴＴＬ器件的输出高电平也可能达不到ＣＭＯＳ器件的输入高电平的最小值。３．３Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，５．０Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．７ＶＣＣ（３．５Ｖ），电平不匹配；５．０Ｖ ＴＴＬ器件的ＶＯＨ是２．４Ｖ，３．３Ｖ ＣＭＯＳ器件的ＶＩＨ是０．８ＶＣＣ（２．６４Ｖ），可以将５．０Ｖ ＴＴＬ器件的输出端上拉，达到电平匹配的目的。
第四，不同供电电压的ＣＭＯＳ器件驱动ＴＴＬ器件时，在输入端具有５Ｖ容限的情况下，电平匹配，数据能可靠地传输。
第五，不同供电电压的ＴＴＬ器件在输入端具有５Ｖ容限的情况下可以直接接口；不同供电电压的ＣＭＯＳ器件由于电平不匹配不能直接接口。
由以上分析可知，不同逻辑标准的电平信号一般是不能直接接口的。在只有少量信号需要电平转换的情况下，可以考虑上拉电阻或选择具有５Ｖ输入容限的器件，甚至可以考虑电阻分压降低输入电压的办法。对于大量信号需要电平转换的情况，为了可靠传输数据，可以采用双电压（一边是３．３Ｖ，另一边是５Ｖ）供电的双向驱动器来实现电平转换。如仙童半导体公司的７４ＬＶＸ４２４５、ＴＩ公司的ＳＮ７４ＡＬＶＣ１６４２４５、ＳＮ７４ＡＬＶＣ４２４５
等芯片，可以较好地解决３．３Ｖ与５Ｖ电平的转换问题。
ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、 PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。
下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。
RS232和RS485基本和大家比较熟了，只简单提一下：
RS232采用±12-15V供电，我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0，-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换，也可以用两个三极管加一些外围电路进行反相和电压匹配。
RS485是一种差分结构，相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。
