流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻
近日一则：“128G 的 iPhone6/Plus
会莫名崩溃，恐导致大规模召回。”的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了 128G 的
iPhone 的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容：
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/34cce83644feb6a.jpg
“引起 iPhone 崩溃的原因竟然是 NAND FLASHMEMORY（闪存）模块中 IC 控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的 NAND TLC FLASH MEMORY 而非成本更高、速度更快的 NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过 700 个 App 时，iPhone 便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的 iOS8.1 更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。”
NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？
首先 FLASH MEMORY 作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于 1984 年发明。在 FLASH MEMORY 中又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种常见的类型，其中 NOR FLASH 属于第一代产品，第一款商用产品是 1988 年 intel 公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH 很快被 NAND FLASH 取代。NAND FLASH 同样是有东芝公司发明，在 1988 年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH 具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让 NAND FLASH 相较于 NOR FLASH 具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出 NOR FLASH 十倍。
在 FLASH 模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储 1 比特的信息，这简称为 SLC NAND FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储 2 比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC 闪存可降低生产成本，但比起 SLC 闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此 MLC 闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell, TLC）TLC 闪存，它的架构原理与 MLC 类似，但可以在每个储存单元内储存 3 个信息比特。TLC 的写入速度比 SLC 和 MLC 慢，寿命也比 SLC 和 MLC 短，大约 1000 次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用 TLC 这个名字，而是称其为 3-bit MLC。
iPhone 中到底用了什么 FLASH MEMORY
在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在 iPhone 内部，这块 IC 主要任务是其他电子元器件和 NAND 之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。
那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅 ifixit 的拆机资。根据 16G 的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的 NAND FLASH，型号为 H2JTDG8UD1BMS。（图中红色部分）
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/f93c082780f76f2.jpg http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/54ccfb7a674e4f3.png
这颗 NAND FLASH 在海力士的技术文档中被归为 E2NAND 3.0，是由 SK Hynix 和 Anobit 合作开发的，而 Anobit 早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注 H2JTDG8UD1BMS 的类型，但是在全球领先的微电子服务网站 TechInsights 上，H2JTDG8UD1BMS 被明确规范为 NAND MLC FLASH MEMORY。
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/24d636e296757fd.png
因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus 所使用的就是 NAND MLC FLASH MEMORY，而非所谓的廉价 NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块 FLASH 中的控制 IC 是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。
这则新闻的背后
虽然 iPhone 6 Plus 中的技术细节已经排查清楚，那么为什么这样一则不实新闻会出现呢？笔者接着进行了排查。
这则新闻最先出现于韩国媒体 BusinessKorea，蹊跷的是 BusinessKorea 引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户，他在总计 159 篇的讨论帖中都反映了 128G iPhone 6 Plus 的自动崩溃问题。
显然在这个过程中 BusinessKorea 存在着明显的缺失，新闻事实明显不足，证据单一，说服力较低。除此之外，也没有查明 iPhone 6 Plus 的真实元器件，轻易得出了 128G iPhone 6 Plus 采用 NAND TLC FLASH MEMORY 的错误结论。
虽然苹果官方已经表态，不存在 128G iPhone 6 Plus 大规模自动崩溃的现象，更不可能大规模召回，但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中，iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象，但是次数十分少见，多为越狱后插件冲突所致，而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象，因此各位 128G 的土豪用户大可放心，只是各家媒体长点心吧！不要一味了眼球而不负责任的转载。
文/煮机网 Kimf2009
本文来自：MacGG原文地址：http://www.macgg.com/archives/30328.html
会莫名崩溃，恐导致大规模召回。”的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了 128G 的
iPhone 的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容：
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/34cce83644feb6a.jpg
“引起 iPhone 崩溃的原因竟然是 NAND FLASHMEMORY（闪存）模块中 IC 控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的 NAND TLC FLASH MEMORY 而非成本更高、速度更快的 NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过 700 个 App 时，iPhone 便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的 iOS8.1 更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。”
NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？
首先 FLASH MEMORY 作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于 1984 年发明。在 FLASH MEMORY 中又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种常见的类型，其中 NOR FLASH 属于第一代产品，第一款商用产品是 1988 年 intel 公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH 很快被 NAND FLASH 取代。NAND FLASH 同样是有东芝公司发明，在 1988 年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH 具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让 NAND FLASH 相较于 NOR FLASH 具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出 NOR FLASH 十倍。
在 FLASH 模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储 1 比特的信息，这简称为 SLC NAND FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储 2 比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC 闪存可降低生产成本，但比起 SLC 闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此 MLC 闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell, TLC）TLC 闪存，它的架构原理与 MLC 类似，但可以在每个储存单元内储存 3 个信息比特。TLC 的写入速度比 SLC 和 MLC 慢，寿命也比 SLC 和 MLC 短，大约 1000 次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用 TLC 这个名字，而是称其为 3-bit MLC。
iPhone 中到底用了什么 FLASH MEMORY
在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在 iPhone 内部，这块 IC 主要任务是其他电子元器件和 NAND 之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。
那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅 ifixit 的拆机资。根据 16G 的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的 NAND FLASH，型号为 H2JTDG8UD1BMS。（图中红色部分）
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/f93c082780f76f2.jpg http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/54ccfb7a674e4f3.png
这颗 NAND FLASH 在海力士的技术文档中被归为 E2NAND 3.0，是由 SK Hynix 和 Anobit 合作开发的，而 Anobit 早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注 H2JTDG8UD1BMS 的类型，但是在全球领先的微电子服务网站 TechInsights 上，H2JTDG8UD1BMS 被明确规范为 NAND MLC FLASH MEMORY。
http://imgmacgg.b0.upaiyun.com/wp-content/uploads/24d636e296757fd.png
因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus 所使用的就是 NAND MLC FLASH MEMORY，而非所谓的廉价 NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块 FLASH 中的控制 IC 是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。
这则新闻的背后
虽然 iPhone 6 Plus 中的技术细节已经排查清楚，那么为什么这样一则不实新闻会出现呢？笔者接着进行了排查。
这则新闻最先出现于韩国媒体 BusinessKorea，蹊跷的是 BusinessKorea 引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户，他在总计 159 篇的讨论帖中都反映了 128G iPhone 6 Plus 的自动崩溃问题。
显然在这个过程中 BusinessKorea 存在着明显的缺失，新闻事实明显不足，证据单一，说服力较低。除此之外，也没有查明 iPhone 6 Plus 的真实元器件，轻易得出了 128G iPhone 6 Plus 采用 NAND TLC FLASH MEMORY 的错误结论。
虽然苹果官方已经表态，不存在 128G iPhone 6 Plus 大规模自动崩溃的现象，更不可能大规模召回，但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中，iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象，但是次数十分少见，多为越狱后插件冲突所致，而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象，因此各位 128G 的土豪用户大可放心，只是各家媒体长点心吧！不要一味了眼球而不负责任的转载。
文/煮机网 Kimf2009
本文来自：MacGG原文地址：http://www.macgg.com/archives/30328.html
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