一种磁场中的推进器
一种磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置
技术领域
本发明涉及推进器技术领域，特别是利用地球磁场或者宇宙空间磁场或星际空间磁场等空间的磁场中产生推进力的推进器，以及磁场中的制动和/或发电装置。
背景技术
由于地磁场或星际空间的磁场强度很小，现有技术中的利用地磁场或星际空间磁场来产生推进力的推进器都难以产生较大的推进力，导致无法充分的利用地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场来实现推进，在应用上受到了很大的限制，有待于做出全新的设计。
因此，如何克服现有推进器存在的不足，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种磁场中的推进器。该推进器通过聚集放大地磁场或者宇宙空间磁场等外部磁场，在外部磁场被放大处放置导体，导体通电后与地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场等磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力来产生推进作用力，能够充分利用地磁场或者宇宙空间磁场进行推进，可以获得更大的推进力，从而满足实际使用要求。
为实现上述第一目的，本发明提供一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，外部磁场通路包括增强通路，导体设于增强通路。
可选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。
可选地，收口通路位于外部磁场通路的一端或两端。
可选地，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。
可选地，磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。
可选地，磁场聚集部件的材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种。
可选地，磁场聚集部件的本体材料为热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路；
或者，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路；
或者，磁场聚集部件包括上引导件或下引导件，上引导件或下引导件向一侧凸出，凸出的一侧形成收口通路和增强通路。
可选地，上引导件和/或下引导件为磁铁或永磁铁或能够通电的线圈。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件，上引导件和/或下引导件具有的引导磁力线够使外部磁场的磁力线改变方向后增强，形成增强通路。
可选地，磁场聚集部件还包括后延通路上引导件和/或后延通路下引导件，以延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线；后延通路上引导件或后延通路下引导件的一侧形成后延通路，或后延通路上引导件和后延通路下引导件两者之间形成后延通路。
可选地，后延通路上引导件和/或后延通路下引导件本体的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银（可由外形模具保持其形状）、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线的材料。
可选地，磁场聚集部件在左右方向的一端或两端设置有上引导件和/或下引导件。
可选地，上引导件和/或下引导件设置在后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的左右方向的两端或一端。
可选地，上引导件和/或下引导件与后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的位置关系设置成：使得所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路。
可选地，延长所述后延通路上引导件和/或后延通路下引导件的长度，以使所述引导磁力线难以进入通过所述后延通路或使得仅有少量所述引导磁力线进入通过所述后延通路。
可选地，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体或者本体具有的磁场能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。
可选地，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路。
可选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路。
可选地，磁场聚集部件包括单侧引导件，单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路，外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和/或下引导件；上引导件和/或下引导件的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者为其他能够阻挡或排斥外部磁场的磁力线的材料。
可选地，上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小。
可选地，增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段。
可选地，导体为线圈，线圈的第一部分位于增强通路，线圈的第二部分位于增强通路的外部，线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反。
可选地，导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接第一导线段和第二导线段的过渡导线段，第一导线段位于增强通路，第二导线段由过渡导线段引至收口通路的端口外侧。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；收口通路变狭窄的区域形成增强通路。
可选地，导体为设于增强通路的直线形导体。
可选地，磁场聚集部件为螺旋形线圈，螺旋形线圈每一端均向螺旋形线圈的中部逐渐或直接收拢，形成收口通路，或者，螺旋形线圈自一端向螺旋形线圈的另一端逐渐或直接收拢，形成收口通路；螺旋形线圈通电后形成引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，磁场聚集部件的螺旋形线圈的单圈呈四边形或椭圆形。
可选地，磁场聚集部件包括上螺旋线圈和下螺旋线圈，上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距仅自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成收口通路，上螺旋线圈和下螺旋线圈的另一端之间，形成增强通路；或者，
上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成收口通路，上螺旋形线圈和下螺旋形线圈的中部之间保持变小后的间距，形成增强通路；
上螺旋线圈和下螺旋线圈通电后形成引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，上螺旋线圈和下螺旋线圈上下对称或非对称分布，两者的单圈分别呈四边形或椭圆形。
可选地，导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，导体的螺旋形线圈通电后，下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，下平行段或上平行段设有磁场屏蔽套。
可选地，导体的螺旋形线圈为扁平状。
可选地，磁场屏蔽套的材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。
可选地，磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料。
可选地，磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。
可选地，磁场屏蔽套的材料为高磁导率材料或软磁材料。
可选地，磁场屏蔽套的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。
优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于1的材料。
优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于10的材料。
优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于100的材料。
可选地，导体包括连续弯曲呈“S”形的导线和磁场屏蔽管，“S”形导线具有若干平行的直线段，相邻两个直线段的电流方向相反，直线段以间隔的方式设有磁场屏蔽管。
可选地，磁场屏蔽管的材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。
可选地，磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料。
可选地，磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。
可选地，磁场屏蔽管的材料为高磁导率材料或软磁材料。
可选地，磁场屏蔽管的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。
优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于1的材料。
优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于10的材料。
优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于100的材料。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件为永磁铁制成，上引导件、下引导件上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成收口通路；或者，上引导件和下引导件上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成收口通路；上引导件、下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，上引导件、下引导件均设有内层，上引导件、下引导件的两端分别伸出于内层，形成外部磁场通路的端口区域；
内层的材料是抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种。
可选地，磁场聚集部件为实心构件，其本身形成用于增强外部磁场的左右延伸的外部磁场通路；
外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上的上、下边缘从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端直接变窄或逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路；
导体设于增强通路，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够吸引外部磁场的磁力线，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强，导体设于增强通路。
可选地，导体包括的导线为超导性材料制作。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为永磁铁制成，另一者为螺旋线圈，上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成外部磁场通路，永磁铁具有的磁场的磁力线以及螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为永磁铁制成，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料；
上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成外部磁场通路，由永磁材料制成的上引导件或下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为螺旋线圈，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料；
上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线通过的区域形成外部磁场通路，作为上引导件或下引导件的螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线，引导磁力线能够改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。
可选地，上引导件的引导磁力线和下引导件的引导磁力线之间的外部磁场的磁力线通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线在外部磁场通路中增强的区域为增强通路。
可选地，导体能够形成闭合回路。
可选地，磁场聚集部件包括单侧引导件，单侧引导件的一端为弧形，或两端均呈向一侧凸出的弧形，单侧引导件凸出的一侧形成收口通路和增强通路。
本发明的第二目的是提供一种磁场中的制动和/或发电装置，包括上述任一项所述的推进器，所述导体能够形成闭合回路，所述磁场中的制动装置在外部磁场中运动时，所述导体能够切割所述增强通路中的外部磁场的磁力线而产生电流和/或制动力。
本发明所提供的推进器，由于外部磁场经过收口通路汇聚之后进入增强通路，因此，增强通路的外部磁场强度大于其他区域的外部磁场强度，通过在增强通路中设置导体，在增强的外部磁场的作用下，可以获得更大的推进力，可克服现有推进器存在的不足。
附图说明
图1是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图2是本发明第二实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图3是图2中所示导体的结构示意图；
图4是本发明第三实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图5是图4所示推进器的剖视图；
图6是本发明第四实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图7是图6所示推进器的剖视图；
图8是本发明第五实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图9是图8所示推进器在另一视角下的结构示意图；
图10是本发明第六实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图11是本发明第七实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图12是本发明第八实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图13是本发明第九实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图14是本发明第十实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图15是另一种导体的结构示意图；
图16是本发明第十一实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图17是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图18是本发明第十三实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图19是本发明第十四实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图20是本发明第十五实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图21是本发明第十六实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图22是本发明第十六实施例公开的一种推进器的结构示意图；
图23是本发明第十六实施例公开的一种推进器的结构示意图。
图中：
1.磁场聚集部件，2.导线，3.收口通路，4.增强通路，5.上引导件，6.下引导件，7.磁场屏蔽管，8.侧向引导件，9.第一导线段，10.第二导线段，11.上隔板，12.下隔板，13.上螺旋线圈，14.下螺旋线圈，15.上平行段，16.下平行段，17.磁场屏蔽套，40.外部磁场的磁力线，50.引导磁力线，51.后延通路上引导件，61.后延通路下引导件。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
在本文中，“上、下、左、右”等用语是基于附图所示的位置关系而确立的，根据附图的不同，相应的位置关系也有可能随之发生变化，因此，并不能将其理解为对保护范围的绝对限定；而且，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个与另一个具有相同名称的部件区分开来，而不一定要求或者暗示这些部件之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
实施例一
请参考图1，图1是本发明第一实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，本发明提供的推进器具有磁场聚集部件1和能够通电的导体，在该实施例中，导体为导线2（下述各实施例中的导线2均能够通电），其中，用于增强外部磁场的磁场聚集部件1具有左右（图1中左右方向）贯通的外部磁场通路，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，收口通路3在空间上从上方和下方向中间（上、下方向的中间）的间距自一端向另一端逐渐变窄（图1中，右端收口通路3自右向左逐渐变窄，左端收口通路3自左向右逐渐变窄），增强通路4为收口通路3变窄之后的后延通路，导线2设于增强通路4；形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线40，当外部磁场的磁力线40由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。
优选地，导线2可以采用超导性材料制作。
优选地，收口通路3位于外部磁场通路的两端，增强通路4位于外部磁场通路的中部，磁场聚集部件1包括呈板状的上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，其两端均呈弧形，两者上下方向的间距自左右方向的两端向中部逐渐变小，形成收口通路3；上引导件5和下引导件6的中部相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路4。
优选地，导线2为线圈，线圈的第一部分21位于增强通路4中，如图1所示，第一部分处于上引导件5、下引导件6中部之间，优选是将第一部分21设置为与增强通路4的通路方向垂直；线圈的第二部分22位于增强通路4的外部，线圈在通电后，线圈的第一部分21和第二部分22的电流方向相反。
由于外部磁场经过收口通路3汇聚之后进入变窄的增强通路4，因此，增强通路4的外部磁场强度大于增强通路4的外侧区域，图中箭头（一种使用状态）所示为外部磁场的磁力线40方向，通过在增强通路4中设置导线2，导线2通电后在外部磁场中受到作用力或安培力或洛伦兹力，在增强的外部磁场的作用下，即使线圈的第二部分22会产生相反方向的推进力，也小于线圈第一部分21产生的方向的推进力，从整体上来讲，依然可以获得一个方向的推进力，从图中来看，推进器能够相对于外部磁场产生向上或向下方向的推进力。
优选地，磁场聚集部件1本体的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银（可由外形模具保持其形状）、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线40的材料或物体或机构；如此设置，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线40，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。
实施例二
请参考图2、图3，图2是本发明第二实施例公开的一种推进器的结构示意图； 图3是图2中所示导体的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，本发明提供的推进器具有磁场聚集部件1和导体，其中，用于增强磁场的磁场聚集部件1具有左右（图2中左右方向）贯通的外部磁场通路，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，收口通路3在空间上从上方和下方向中间的间距自一端向另一端逐渐变窄（图2中，右端收口通路3自右向左逐渐变窄，左端收口通路3自左向右逐渐变窄），增强通路4为收口通路3变窄之后的后延通路，导体设于增强通路4；形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线40，当外部磁场的磁力线40由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强。该磁场聚集部件1和实施例1中的磁场聚集部件1结构类似，也可以与实施例1结构相同。
具体地，收口通路3位于外部磁场通路的两端，增强通路4位于外部磁场通路的中部，磁场聚集部件1包括呈板状的上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，其一端或两端呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路3；上引导件5和下引导件6在左右方向上的另一端或中部相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路4。
导体在该实施例中包括导线2，导线2具体为连续弯曲呈“S”形的导线，具有若干平行的直线段，通电后，相邻两个直线段的电流方向相反，此时导体还包括磁场屏蔽管7，导线2的直线段以间隔的方式套设有磁场屏蔽管7。这里，磁场屏蔽管7的材料可以为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料，或采用热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种材料，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线40的材料。这样，虽然相邻两个直线段的电流方向相反，但外部磁场被屏蔽管7屏蔽，难以进入屏蔽管7内的直线段，因此并不能产生推力，或者仅产生比较小的推力，因此，从整体上来讲，导体获得的依然是正向的推力，即整体上可获得的一个方向的推进力，从而带动整个推进器移动。从图中来看，推进器能够相对于外部磁场产生向上或向下方向的推进力。
优选地，磁场屏蔽管7的材料为高磁导率材料或软磁材料。
优选地，磁场屏蔽管7的材料为坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体。
优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于1的材料。
优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于10的材料。
优选地，磁场屏蔽管7的材料为相对磁导率大于100的材料。
由于外部磁场经过收口通路3汇聚之后进入变窄的增强通路4，因此，增强通路4的外部磁场强度大于增强通路4的外侧区域，通过在增强通路4中设置导体，在增强的外部磁场的作用下，可以获得更大的推进力。
实施例三
请参考图4、图5，图4是本发明第三实施例公开的一种推进器的结构示意图；图5是图4所示推进器的剖视图。
如图所示，本实施例在实施例一或实施例二的基础上进一步改进和/或简化而得到，一方面，上引导件5和下引导件6可以仅一端具有一个收口通路3，省去了另一端的收口通路3，这样的结构同样能够实现本发明目的，其余结构请参考上文，这里不再重复描述。
优选地，外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。
实施例四
请参考图6、图7，图6是本发明第四实施例公开的一种推进器的结构示意图；图7是图6所示推进器的剖视图；
如图所示，本实施例同样在实施例一或实施例二的基础上进一步改进和/或简化而得到，一方面，其外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。另一方面，导体可以是线圈结构，具有相平行的第一导线段9和第二导线段10以及连接第一导线段9和第二导线段10的过渡导线段，第一导线段9位于增强通路4中，即处于增强的外部磁场中，并与增强通路4的通路方向垂直，第二导线段10由过渡导线段引至收口通路3的端口外侧，处于外部未被增强的外部磁场中，即使导体的第二导线段10会产生相反方向的推进力，也小于导体的第一导线段9产生的正向推进力，从整体上来讲，依然可以获得一个方向的推进力。这样的结构同样能够实现本发明目的，其余结构请参考上文，这里不再重复描述。
实施例五
请参考图8、图9，图8是本发明第五实施例公开的一种推进器的结构示意图；图9是图8所示推进器在另一视角下的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，磁场聚集部件1包括上引导件5和下引导件6，上引导件5和下引导件6上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路3，且收口通路3的两侧封闭，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料，收口通路3变小的端口区域直接形成增强通路4，导体为设于增强通路4内的直线形导线2。磁场聚集部件1的具体材料或性质与上述实施例一致，不再赘述。
实施例六
请参考图10，图10是本发明第六实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，本实施例同样在实施例一或实施例二的基础上进一步改进而得到，与上述实施例类似，磁场聚集部件1的左右两端的收口通路3之间的部分形成增强通路4，但进一步地，形成增强通路4的上引导件5与下引导件6整体呈弯曲状，以使汇聚后的外部磁场的磁力线40进一步延长，和/或，弯曲时形成至少两个延伸方向不同的直线段，相应使汇聚后的外部磁场的磁力线40形成不同方向的磁力线段，在改变方向后的外部磁场的磁力线40段放置导体，可以产生不同方向的推进力，以适应不同的作业需要。
优选地，其外部磁场通路可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。
实施例七
请参考图11，图11是本发明第七实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图11所示，在本实施例中，本发明提供的推进器也具有磁场聚集部件1和导体，其中，用于增强外部磁场的磁场聚集部件1具有左右（图1中左右方向）贯通的外部磁场通路，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，导体设于增强通路4。
本实施例的导体可采用实施例二的导体。
磁场聚集部件1包括呈板状的上引导件5和下引导件6，两者上下方向的间距自一端向另一端直接或逐渐变小，形成收口通路3；上引导件5和下引导件6的中部相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路4。
以上结构描述与上述部分实施例大致相同，但上引导件5和下引导件6是永磁铁；其中，上面永磁铁（引导件5）的磁场的磁力线南北极方向和下面永磁铁（引导件6）的磁场的磁力线的南北极方向，在两者中间是相同的。
使用的时候，外部磁场的磁力线40的南北极方向也和两者中间磁力线的南北极方向相同，外部磁场指的是地磁场或宇宙空间磁场或行星际空间磁场这种磁场。
这样，上引导件5和下引导件6，其具有的磁场的引导磁力线50（图中虚线指代，以区别于实线指代的外部磁场的磁力线40，箭头所示方向为磁力线南北极方向）能够使外部磁场的磁力线40（图中箭头所示方向为磁力线南北极方向）改变方向，从而使外部磁场的磁力线40被汇聚到增强通路4，其外部磁场通路既可以在左右方向上的两端分别向另一端逐渐变窄，即两端分别向磁场聚集部件1长度方向的中部变窄，也可以在左右方向上的仅一端向另一端逐渐变窄，其余结构请参考上文，这里不再重复描述。
优选地，上引导件5和下引导件6上下对称分布。
优选地，引导件5和下引导件6的引导磁力线50之间的外部磁场的磁力线40通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线40在外部磁场通路中增强的区域为增强通路4。
实施例八
请参考图12，图12是本发明第八实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，与上述实施例不同，本实施例的磁场聚集部件1整体上为一个连续的螺旋形线圈，此螺旋形线圈的单圈呈四边形，螺旋形线圈呈每一端均向中部逐渐收拢的喇叭形，螺旋形线圈通电后，形成的磁场的引导磁力线50（图中虚线指代，以区别于实线指代的外部磁场的磁力线40，箭头所示方向为磁力线南北极方向）可以汇聚外部磁场的磁力线40（图中箭头所示方向为磁力线南北极方向），即两端相当于收口通路，将外部磁场的磁力线40汇聚至磁场聚集部件1的中部时，此处的引导磁力线50和外部磁场的磁力线40方向相同，可使螺旋形线圈中间的狭窄区域的外部磁场强度增强，相当于在中部形成增强通路4。增强通路4可设置导体，导体可采用实施例二中的导体，产生推进力的原理与实施例二相同，不赘述。
可知，磁场聚集部件1的两端或者一端，直接变窄或逐渐变窄形成收口通路3都是可以的，可参照上述实施例理解。另外，磁场聚集部件1的螺旋形线圈中部的狭窄区域也可以延长，即形成相对延长的增强通路4的区间。
当然，磁场聚集部件1的螺旋形线圈的单圈不限于呈四边形，也可呈椭圆形，只要能够通电后形成引导磁力线50即可。
优选地，上方和下方的引导磁力线50之间的外部磁场的磁力线40通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线40在外部磁场通路中增强的区域为增强通路。
实施例九
请参考图13，图13是本发明第九实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，磁场聚集部件1包括上螺旋线圈13和下螺旋线圈14，上螺旋线圈13和下螺旋线圈14上下对称分布，两者的单圈分别呈四边形，上螺旋线圈13和下螺旋线圈14之间上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成与上述实施例类似的收口通路3，图13中，上螺旋线圈13的两端呈上翘的弧形，下螺旋线圈14的两端也呈下凹的弧形，则在磁场聚集部件1两端，自端部向磁场聚集部件1左右方向的中部逐渐变窄。同样，磁场聚集部件1在左右方向上的另一端或中部保持变小后的间距，形成增强通路4。
这样，上螺旋线圈13和下螺旋线圈14通电后具有的磁场的引导磁力线50（图中虚线指代，以区别于实线指代的外部磁场的磁力线40，箭头所示方向为磁力线南北极方向）可以汇聚外部磁场的磁力线40（图中箭头所示方向为磁力线南北极方向），即两端相当于收口通路，将外部磁场的磁力线40汇聚至磁场聚集部件1的中间时，此处的引导磁力线50和外部磁场的磁力线40方向相同，可使磁场聚集部件1中间的狭窄区域的外部磁场强度增强，相当于在中间形成增强通路4。增强通路4可设置导体。
可见，与实施例二相比，相当于将实施例二中的上引导件5和下引导件6替换为上螺旋线圈13和下螺旋线圈14，其增强通路4中的导体可与实施例二中的导体相同。
磁场聚集部件1两端或者一端直接变窄或逐渐变窄，形成收口通路3都是可以的，可参照上述实施例理解。另外，磁场聚集部件1中间的狭窄区域可以延长，即形成相对延长的增强通路4的区间。
此外，上述上螺旋线圈13和下螺旋线圈14的单圈，不限于呈四边形，也可呈椭圆形。
优选地，上螺旋线圈13和下螺旋线圈14的引导磁力线50之间的外部磁场的磁力线40通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线40在外部磁场通路中增强的区域为增强通路。
实施例十
请参考图14，图14是本发明第十实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，本实施例在实施例七的基础上进一步改进而得到，具体表现为在上引导件5和下引导件6之间增加了两个内层，两个内层的形状与上引导件5和下引导件6大致相同，上引导件5、下引导件6的两端分别伸出于所述内层，形成外部磁场通路的端口区域。此处，内层的材料是抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种或是其他能够阻挡或排斥外部磁场的材料，设置内层是为了更有效的将外部磁场的磁力线40汇聚在磁力线增强区域。两内层之间的狭窄区域即形成增强通路，在增强通路中设置导体，导体可以是上述实施例二、七中的导体，也可以采用其他结构形式的导体。
请参考图15，图15是另一种导体的结构示意图。
如图所示，导体包括导线2，且导线2可以是整体呈扁平状的螺旋形线圈，此线圈具有若干上平行段15和下平行段16（这里的平行段是大致平行，并不要求完全平行，可以有一定的倾斜和弯曲也可以），下平行段16与上平行段15的电流方向相反，此时，导体还包括磁场屏蔽套17，其中，导线2的上平行段15设有磁场屏蔽套17，磁场屏蔽套17包裹上平行段15，磁场屏蔽套17的作用是屏蔽外部磁场，使外部磁场的磁力线40不容易或不能进入磁场屏蔽套17的内侧，从而阻止外部磁场与磁场屏蔽套17内的上平行段15产生作用力或安培力。显然，磁场屏蔽套17包裹下平行段16，同样可获得上述技术效果。
另外，上平行段15和下平行段16未必一定是平行，有一定的弯曲或者倾斜也是可以的。
磁场屏蔽套17可以是抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种或者其他能够产生磁场屏蔽效果的材料。
磁场屏蔽套17也可以是高磁导率材料或软磁材料，例如坡莫合金或铸铁或硅钢片或镍锌铁氧体或镍铁合金或锰锌铁氧体等。
优选地，磁场屏蔽套17的材料为相对磁导率大于1的材料。
优选地，磁场屏蔽套17的材料为相对磁导率大于10的材料。
优选地，磁场屏蔽套17的材料为相对磁导率大于100的材料。
同理，上述实施例二中提到的磁场屏蔽管7也可以采用以上材料。实际上，该实施例中也可以为每个上平行段15或每个下平行段16单独配设磁场屏蔽管。当然，该实施例中的导体也可以用于其他所有实施例，其他所有实施例中的导体也可以用于该实施例。
实施例十一
请参考图16，图16是本发明第十一实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，磁场聚集部件1包括上引导件5和下引导件6；上引导件5和下引导件6上下对称分布，作为优选其一端呈直角平面形状，两者的间距向中间直接变小或自一端向另一端直接变小，形成收口通路3，即收口通路3直接变窄，不需要如前述实施例向另一端逐渐变窄；上引导件5和下引导件6的在左右方向上的另一端相互平行，两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路4。从图16可见，上引导件5和下引导件6呈L形，上下方向延伸的板状结构形成具有直角平面的一端，左右方向延伸的板状结构形成相互平行的另一端。
磁场聚集部件1一端的直角平面形状能迫使外部磁场的磁力线40改变方向从中间的外部磁场通路通过，从而使中间的外部磁场得到加强，增强通路4中设置以上实施例中所述的导体，产生推进力的原理可参照上述实施例理解，不赘述。这里的上引导件5、下引导件6的材料或性质与实施例一一致，可参照理解。
优选地，磁场聚集部件1的两端都具有直角平面形状的收口通路3。
另外，磁场聚集部件1的一端或两端未必一定是直角平面形状，其形状只要能阻挡外部磁场的磁力线40改变方向，从外部磁场通路通过，使外部磁场在增强通路4中得以加强即可。
优选地，磁场聚集部件1的两侧可以设置侧向引导件8，具体是封闭上引导件5、下引导件6相互平行的另一端的两侧，侧向引导件8的材料选用上引导件5可用的材料。
实施例十二
请参考图17，图17是本发明第十二实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，在本实施例中，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1的本体能够吸引外部磁场的磁力线40，磁场聚集部件1是实心构件，其外部磁场通路即为实体结构的磁场聚集部件1，即磁场聚集部件1本身形成用于增强外部磁场的左右延伸的外部磁场通路，以使外部磁场的磁力线40经由收口通路3改变方向，并于增强通路4得以增强，导体设于增强通路4。
磁场聚集部件1为高磁导率材料或软磁材料，导体具有若干相互平行的导线2，分别置于磁场聚集部件1中。作为优选，这些导线2也是高磁导率材料，导线2的一端通过电连接板相连接，导线2的另一端通过另一电连接板相连接，两块电连接板的端部连接引出导体。
优选地，磁场聚集部件1的材料为相对磁导率大于100的材料。
优选地，磁场聚集部件1的材料为相对磁导率大于1000的材料。
实施例十三
请参考图18，图18是本发明第十三实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，与实施例十二相比，该实施例的导体的导线2把高磁导率材料隔断，如图18所示，导线2包裹在磁场聚集部件1中部增强通路4的外部，其余结构与实施例十二基本相同。
实施例十四
请参考图19，图19是本发明第十四实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如图所示，与实施例二相比，该实施例仅具有下引导件6，也即设置单侧引导件。这里，导体置于该下引导件6上，下引导件6的端部呈弧状，形成单侧引导，形成单侧的收口通路3，同理，外部磁场经过收口通路3阻挡或排斥之后，方向改变，进入下引导件6中部位置的增强通路4，因此外部磁场在该位置得以增强。增强通路4中设置的导体通电后，在增强的外部磁场的作用下可以获得更大的推进力。这里，下引导件6的两端均呈弧形，且向一侧凸出，图19中均向上侧凸出，此时在弧形凸出的一侧形成收口通路3和增强通路4，可以理解，一端为弧形也是可行的。
当然也可以是这样的设计，与实施例二相比仅具有上引导件（图中未示出），即单侧引导件，一端或两端为向下凸出的弧形，在下方侧形成收口通路和增强通路。同样可以达成汇聚增强外部磁场的效果。本实施例的上引导件5、下引导件6的材质与实施例一一致，可参照理解。
实施例十五
请参考图20，图20是本发明第十五实施例公开的一种推进器的结构示意图。
如前所述，形成外部磁场通路的磁场聚集部件1也可以采用非对称设置。本实施例相对于实施例二作了进一步的改进，该磁场聚集部件1的上引导件5采用平板结构，但外部磁场的磁力线40同样可在变窄的增强通路4获得增强。或者，下引导件6采用平板结构，原理相同。
需要说明的是，其他所有实施例的磁场聚集部件1也可以采用非对称设置，其上引导件5或下引导件6中的一者可采用平板结构，也即收口通路在空间上可由一端向另一端逐渐变窄，或从上方和/或下方向中间直接变窄；实施例八的磁场聚集部件1的螺旋形线圈的上方或下方也可以是直板型的；实施例九的磁场聚集部件1的上螺旋线圈13或下螺旋线圈14其中一者的一端或两端可以不是弧形，而是在左右方向上成直板型。
实施例十六
请参考图21、图22和图23，是本发明第十六实施例公开的一种推进器的结构示意图；图23是图22另一个角度的视图并且增加了右侧的上引导件5和下引导件6。
本实施例可对上述实施例进一步改进或与上述实施例类似；如图21、图22和图23所示，本发明提供的推进器也具有磁场聚集部件1和导体，其中，用于增强外部磁场的磁场聚集部件1包括上引导件5和/或下引导件6，外部磁场通路包括收口通路3和增强通路4，导体设于增强通路4；上引导件5和/或下引导件6为永磁铁，也可以是通电后具有同样引导磁力线50（图中虚线指代，以区别于实线指代的外部磁场的磁力线40，箭头所示方向为磁力线南北极方向）的线圈或电磁铁，上引导件5和/或下引导件6的引导磁力线50能够使外部磁场的磁力线40（图中箭头所示方向为磁力线南北极方向）向下或向上改变方向后增强，形成增强通路。这样设置的有益效果包括，磁铁的引导磁力线50可以向上和/或向下延伸较远，从而可以汇聚更大范围的外部磁场的磁力线40。
优选的，本实施例的导体可采用实施例二的导体。
优选的，磁场聚集部件1还包括后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61，后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61本体的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、热解石墨、铋、水银（可由外形模具保持其形状）、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者是其他能够排斥或阻挡外部磁场的磁力线40的材料；以使后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61的一侧或两者之间形成后延通路，从而延长被汇聚增强后的外部磁场的磁力线40。
优选的，上引导件5和/或下引导件6与后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61的位置关系设置成：使得引导磁力线50难以进入通过增强通路4的后延通路或使得仅有少量引导磁力线50进入通过后延通路；这样设置的有益效果包括，可使得外部磁场的磁力线40能更容易进入增强通路4的后延通路。
优选的，延长后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61的长度，以使引导磁力线50难以进入通过后延通路或使得仅有少量引导磁力线50进入通过后延通路。
优选的，磁场聚集部件1左右方向的一端或两端设置有上引导件5和/或下引导件6。
优选的，上引导件5和/或下引导件6设置在后延通路上引导件51和/或后延通路下引导件61的左右方向的两端或一端。
优选地，上引导件5和下引导件6上下对称分布。
优选地，引导件5和下引导件6的引导磁力线50之间的外部磁场的磁力线40通过的区域为外部磁场通路，外部磁场的磁力线40在外部磁场通路中增强的区域为增强通路4。
优选地，本实施例中的上引导件5和/或下引导件6不限于图中所示的倾斜的，也可以是垂直与水平方向的，能够起到相应功能或作用即可。
上述实施例中涉及到的磁场聚集部件1，包括上引导件和下引导件，部分实施例中，上引导件和下引导件均由螺旋线圈（上螺旋线圈、下螺旋线圈）形成，以形成能够引导外部磁场的引导磁力线50；部分实施例中的上引导件、下引导件由永磁铁制成；部分实施例中，上引导、下引导件的材质能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线40。可以理解，这几种方式可以交叉使用，目的均是迫使外部磁场的磁力线40进入、或引导其进入，以使外部磁场的磁力线40汇聚到磁场聚集部件1中来，并进行增强，从而与导体配合产生所需的推进力。具体的组合方式如下：
第一种组合：磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为永磁铁制成，另一者为螺旋线圈，上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线40通过的区域形成外部磁场通路，永磁铁具有的磁场的磁力线以及螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线50，引导磁力线50能够改变所述外部磁场的磁力线40方向而被汇聚到所述增强通路。
第二种组合：磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为永磁铁制成，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线40的材料；
上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线40通过的区域形成外部磁场通路，由永磁材料制成的上引导件或下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线50，引导磁力线50能够改变外部磁场的磁力线40方向而被汇聚到增强通路。
第三种组合：磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件，一者为螺旋线圈，另一者的本体材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线40的材料；
上引导件、下引导件之间的外部磁场的磁力线40通过的区域形成外部磁场通路，作为上引导件或下引导件的螺旋线圈通电后具有的磁场的磁力线为引导磁力线50，引导磁力线50能够改变外部磁场的磁力线40方向而被汇聚到增强通路。
需要说明的是，上述所有实施例涉及的超导体或超导体材料，使用的时候需要是超导态，具有完全抗磁性。
需要说明的是，使用的时候，磁场聚集部件1的外部磁场通路的方向未必一定和磁场聚集部件1以外的外部磁场的磁力线40方向相同或平行，有一定角度也是可以的，并不能将其理解为对保护范围的绝对限定。
需要说明的是，上述所有实施例也可与实施例三类似，外部磁场通路可以仅一端具有一个收口通路3，省去了另一端的收口通路3，这样的结构同样能够实现本发明目的。
需要说明的是，上述所有实施例也可与实施例十一类似，磁场聚集部件1在空间上的上下方向的间距向左右方向延伸的过程中直接变小，形成收口通路3。
需要说明的是，上述所有实施例中的在增强通路中的导体（有屏蔽套或屏蔽管的实施例则不包括被屏蔽部分）的电流方向与此处的外部磁场的磁力线40方向呈一定角度不是平行的可产生相互作用力或安培力或洛伦兹力也可以，并非一定是垂直的。
需要说明的是，上述实施例中的磁场屏蔽套17是一整圈的，实际上有一定缺口也是可以的，只要能起到屏蔽外部磁场的效果就可以。
需要说明的是，上述实施例对应附图中的外部磁场的磁力线40以及引导磁力线50上的箭头所示方向为磁场的磁力线南北极方向。
需要说明的是，上述各实施例中的外部磁场通路也都可以为两侧封闭的通路，即上引导件5和下引导件6的两侧分别设有用于封闭侧向空间的侧向引导件8，侧向引导件8的材料可选用实施例一中的上引导件5可用的材料。
需要说明的是，本发明所述的“抗磁性材料”指的是材料的抗磁性足够对外部磁场的磁力线40具有阻挡或排斥效果的材料。
需要说明的是，上述各实施例中的磁场聚集部件1和导体之间以及上引导件5和下引导件6之间等部件之间，相互之间在不影响相应功能效果的情况下，可以选择固定连接或活动连接等多种连接方式，这是本领域技术人员可以理解的。
需要说明的是，上述各实施例中相同功能构件在相应附图中以同一标记进行示明，以清楚示出本申请的核心发明构思及各方案间的区别和联络。此外，上述内容仅是本发明所提供推进器的优选方案，具体并不局限于此，在此基础上可根据实际需要作出具有针对性的调整，从而得到不同的实施方式。例如，将磁场聚集部件1设计成其他形状；或者，增强通路4进一步延长；又或者，导体也可以是简单的直导线或多条并联直导线，等等。由于可能实现的方式较多，这里就不再一一举例说明。
需要说明的是，上述所有实施例中，提到的外部磁场，可以是地磁场或宇宙空间磁场或行星际空间磁场这种磁场。
另外，上面所有实施例中推进器的外部磁场的磁场聚集部件1，都可以是两端或者一端有收口通路3；也都可以把增强通路4延长或者弯曲；导体还可以是电解液、带电粒子、等离子体、电浆、等可以通过电流与汇聚增强后的外部磁场产生相互作用力或安培力或洛伦兹力的物体或材料。
需要说明的是，上面所有实施例中的导体都可以应用在所有实施例中。
需要说明的是，上述各实施例中，可以将导体设置成闭合回路；例如将导线2的两端闭合，或者将导线2的两端连接电池，等方式；这样，当推进器相对于外部磁场运动时，导体切割增强通路4中的外部磁场的磁感线可以产生电流和/或可以产生阻力，从而作为推进器的产生制动力的装置和/或发电装置。
以上对本发明所提供的推进器进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
专利申请或优先权号：
2018100214403
2018102915234
2018110699453
2018112968454
